半導(dǎo)體單晶生長爐腔體：用于硅、鍺等單晶材料制備。

第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）生長爐腔體：耐超高溫環(huán)境，支持寬禁帶半導(dǎo)體材料生長。

藍(lán)寶石晶體生長爐腔體：應(yīng)用于LED襯底、光學(xué)窗口制造。

超高溫密封技術(shù)：采用自主焊接工藝，腔體在2000℃持續(xù)工作1000小時仍保持高密封性（氦泄漏率＜10?1?Pa·m3/s），達(dá)國際先進(jìn)水平。

材料與工藝創(chuàng)新：使用鎳基合金、鈦材等耐腐蝕材料，結(jié)合自動化焊接與精密拋光技術(shù)，降低晶格污染風(fēng)險。

智能化控制：集成PLM、MES系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)工藝參數(shù)實(shí)時優(yōu)化。

廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，是制造半導(dǎo)體材料和器件的關(guān)鍵設(shè)備。光伏單晶爐腔體市占率遙遙領(lǐng)先，覆蓋隆基、中環(huán)等頭部企業(yè)。碳化硅生長爐腔體用于電動汽車功率器件，支撐國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

真空腔體：涵蓋高真空（10??Pa）、超高真空（10??Pa）及半導(dǎo)體專用定制腔體。

鍍膜系統(tǒng)：立式/臥式磁控濺射、多腔室連續(xù)鍍膜機(jī)腔體，適配OLED、光學(xué)鍍膜等工藝。

鍍膜均勻性控制：多靶位協(xié)同濺射技術(shù)，膜厚均勻性誤差≤±3%，優(yōu)于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

國產(chǎn)化突破：金屬掩模板（OLED核心部件）量產(chǎn)打破日韓壟斷，成本降低40%。

集成智能化：搭載“高精度智能控制真空鍍膜系統(tǒng)”，獲江蘇省科技進(jìn)步二等獎。

在半導(dǎo)體芯片制造、光學(xué)鍍膜、電子器件制造等多個領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，如：

半導(dǎo)體：PVD/CVD/ALD設(shè)備腔體。

顯示產(chǎn)業(yè)：OLED金屬掩模板、柔性屏鍍膜。

新能源：復(fù)合銅箔/鋁箔集流體鍍膜。

鋰電材料裝備：正極材料燒結(jié)爐、負(fù)極材料石墨化爐、隔膜涂布設(shè)備、電解液反應(yīng)器（六氟磷酸鋰產(chǎn)線）。

氫能裝備：氫氧分離器，換熱器、干燥塔，peM電解槽端板。

非標(biāo)定制：靜置腔、濃縮蒸發(fā)器、固態(tài)電池材料燒結(jié)爐。

效率提升：六氟磷酸鋰結(jié)晶器及反應(yīng)器效率提升50%，能耗降25%。

固態(tài)電池適配：開發(fā)固態(tài)電解質(zhì)燒結(jié)爐，支持硫化物/氧化物體系材料量產(chǎn)。

安全標(biāo)準(zhǔn)：通過ASME、CE、KGS認(rèn)證，滿足全球氫能壓力容器安全規(guī)范。

電解液設(shè)備：配套配套韓國億恩科，瑞泰新材等企業(yè)，國產(chǎn)化六氟磷酸鋰產(chǎn)線新增營收5億元。

氫能：水解制氫裝置用于綠氫項(xiàng)目。